198-پاورپوینت فرایند CMOS (فارسی)

198-پاورپوینت فرایند CMOS

.ویفر SI:

ماده اولیه ساخت به شکل ویفر تک کریستالی با آلایش کم است،قطر این ویفر معمولا″بین 4تا12اینچ و ضخامت آن حد اکثر به 1mmمی رسد.این ویفرها با برش شمش تک کریستالی به شکل لایه های نازک بدست می آیند.

2.لایه نشانی epitaxial:
این لایه بر روی زیر لایه سیلیکونی قرار می گیرد ، این لایه ، لایه های بالایی را از زیرلایه جدا می کند و باعث می شود که نشتی کمتری بین لایه های افزاره با زیرلایه شود.عمل لایه نشانی روی این لایه، فرآیند ساخت را بهبود می بخشد. در این لایه نشانی از کلریدسیلان بعلاوه اکسیژن استفاده می شود.

35 اسلاید