تحقیق در مورد آشنايي با حافظه RAM

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ويرايش و آماده پرينت )

تعداد صفحه : 20 صفحه

 قسمتی از متن .doc : 

آشنايي با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترين نوع حافظه در دنياي  كامپيوتر است . روش دستيابي به اين نوع از حافظه ها  تصادفي است . چون مي توان به هر سلول حافظه مستقيما” دستيابي پيدا كرد . در مقابل حافظه هاي RAM ، حافظه هاي(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه هاي SAM  اطلاعات را در مجموعه اي از سلول هاي حافظه ذخيره و صرفا” امكان دستيابي به آنها بصورت ترتيبي وجود خواهد داشت. ( نظير نوار كاست ) در صورتيكه داده مورد نظر در محل جاري نباشد هر يك از سلول هاي حافظه به ترتيب بررسي شده تا داده مورد نظر پيدا گردد. حافظه هاي  SAM در موارديكه پردازش داده ها الزاما” بصورت ترتيبي خواهد بود مفيد مي باشند ( نظير حافظه موجود بر روي كارت هاي گرافيك ). اما داده هاي ذخيره شده در حافظه RAM با هر اولويت دلخواه قابل دستيابي خواهند بود.

مباني حافظه هاي RAM

حافظه  RAM ، يك تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده كه از ميليون ها ترانزيستور و خازن تشكيل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بكارگيري يك خازن و يك ترانزيستور مي توان يك سلول  را ايجاد كرد. سلول فوق قادر به نگهداري يك بيت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بيت را كه يك  يا صفر است ، در خود نگهداري خواهد كرد.عملكرد ترانزيستور مشابه يك سوييچ بوده كه امكان كنترل مدارات موجود  بر روي تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخيره شده در خازن  يا تغيير وضعيت مربوط به آن ، فراهم مي نمايد. خازن مشابه يك ظرف ( سطل)  بوده كه قادر به نگهداري الكترون ها است . به منظور ذخيره سازي مقدار” يك”  در حافظه، ظرف فوق مي بايست از الكترونها پر گردد. براي ذخيره سازي مقدار صفر، مي بايست ظرف فوق خالي گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدين ترتيب پس از گذشت چندين ميلي ثانيه يك ظرف مملو از الكترون تخليه مي گردد. بنابراين به منظور اينكه حافظه بصورت پويا اطلاعات  خود را نگهداري نمايد ، مي بايست پردازنده  يا ” كنترل كننده حافظه ” قبل از تخليه شدن خازن، مكلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداري مقدار “يك” باشند. بدين منظور كنترل كننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا” اطلاعات را بازنويسي مي نمايد.عمليات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در يك ثانيه تكرار خواهد شد.علت نامگذاري DRAM بدين دليل است كه اين نوع حافظه ها مجبور به بازخواني اطلاعات بصورت پويا خواهند بود. فرآيند تكراري ” بازخواني / بازنويسي اطلاعات” در اين نوع حافظه ها باعث مي شود كه زمان تلف و سرعت حافظه كند گردد.

سلول هاي حافظه  بر روي يك تراشه  سيليكون و بصورت آرائه اي مشتمل از ستون ها ( خطوط بيت ) و سطرها ( خطوط كلمات) تشكيل مي گردند. نقطه تلاقي يك سطر و ستون بيانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه هاي DRAM با ارسال يك شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزيستور در هر بيت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعيتي خواهند شد كه خازن مي بايست به آن وضعيت تبديل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گيري مي نمايد. در صورتيكه سطح فوق بيش از پنجاه درصد باشد مقدار “يك” خوانده شده و در غيراينصورت مقدار “صفر” خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عمليات فوق بسيار كوتاه بوده و بر حسب نانوثانيه ( يك ميلياردم ثانيه ) اندازه گيري مي گردد.  تراشه حافظه اي كه داراي سرعت 70 نانوثانيه است ، 70 نانو ثانيه طول خواهد كشيد تا عمليات خواندن و بازنويسي هر سلول را انجام دهد.